ISL9R8120S3ST
Fairchild/ON Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | ISL9R8120S3ST |
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Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Spitzensperr- (max) | Standard |
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 8A |
Spannung - Durchschlag | TO-263AB |
Serie | Stealth™ |
RoHS Status | Tape & Reel (TR) |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Widerstand @ If, F | 30pF @ 10V, 1MHz |
Polarisation | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Andere Namen | ISL9R8120S3ST-ND ISL9R8120S3STFSTR |
Betriebstemperatur - Anschluss | 300ns |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller-Teilenummer | ISL9R8120S3ST |
Expanded Beschreibung | Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount TO-263AB |
Diodenkonfiguration | 100µA @ 1200V |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263 |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 3.3V @ 8A |
Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 1200V (1.2kV) |
Kapazität @ Vr, F | -55°C ~ 150°C |
ISL9R8120S3ST Einzelheiten PDF [English] | ISL9R8120S3ST PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F-2L
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